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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 40 mS
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 70 ns
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0SSM5N16FUTE85LF
型号:SSM5N16FUTE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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