货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.460718 | ¥12.46 |
10 | ¥10.192868 | ¥101.93 |
100 | ¥7.928756 | ¥792.88 |
500 | ¥6.720565 | ¥3360.28 |
1000 | ¥5.474617 | ¥5474.62 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 52 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIRA10DP-GE3
单位重量 506.600 mg
购物车
0SIRA10DP-T1-GE3
型号:SIRA10DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.460718 |
10+: | ¥10.192868 |
100+: | ¥7.928756 |
500+: | ¥6.720565 |
1000+: | ¥5.474617 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.46