CSD87333Q3D
库存 ：5218
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.452399 | ￥15.45 |
| 10 | ￥13.83239 | ￥138.32 |
| 25 | ￥13.129554 | ￥328.24 |
| 100 | ￥10.786771 | ￥1078.68 |
| 250 | ￥10.08294 | ￥2520.74 |
| 500 | ￥8.910551 | ￥4455.28 |
| 1000 | ￥7.034581 | ￥7034.58 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 14.3 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 3.5 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.2 ns
正向跨导（Min） 43 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20.600 mg
CSD87333Q3D 同类别型号
注
CSD87333Q3D品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、CSD87333Q3D
数据手册PDF
。
CSD87333Q3D
型号：CSD87333Q3D
品牌：TI
供货：锐单
库存：5218 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.452399 |
| 10+： | ￥13.83239 |
| 25+： | ￥13.129554 |
| 100+： | ￥10.786771 |
| 250+： | ￥10.08294 |
| 500+： | ￥8.910551 |
| 1000+： | ￥7.034581 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.45