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数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥1.307234 | ¥3921.70 |
6000 | ¥1.2229 | ¥7337.40 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.8 A, 5.6 A
漏源电阻 29 mOhms, 61 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 10.5 nC, 10.7 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.1 ns, 26.4 ns
正向跨导(Min) 5.5 S, 6.5 S
上升时间 10.5 ns, 11.5 ns
典型关闭延迟时间 16.6 ns, 27.8 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 5.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.750 mg
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0DMC1229UFDB-7
型号:DMC1229UFDB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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3000+: | ¥1.307234 |
6000+: | ¥1.2229 |
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