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制造商 Microchip
商标 Microchip Technology
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 350 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 10 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 1.6 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 52.800 mg
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0DN3535N8-G
型号:DN3535N8-G
品牌:MICROCHIP
供货:锐单
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