货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥17.818828 | ¥17.82 |
10 | ¥14.579041 | ¥145.79 |
100 | ¥11.335517 | ¥1133.55 |
500 | ¥9.608212 | ¥4804.11 |
1000 | ¥7.826827 | ¥7826.83 |
2000 | ¥7.368149 | ¥14736.30 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.2 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 57 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 260 ns
正向跨导(Min) 25 S
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 2 P-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7329TRPBF SP001566104
单位重量 540 mg
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0IRF7329TRPBF
型号:IRF7329TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.818828 |
10+: | ¥14.579041 |
100+: | ¥11.335517 |
500+: | ¥9.608212 |
1000+: | ¥7.826827 |
2000+: | ¥7.368149 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.82