货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥3.541415 | ¥10624.25 |
6000 | ¥3.372804 | ¥20236.82 |
9000 | ¥3.217107 | ¥28953.96 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SI7101DN-T1-GE3
型号:SI7101DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥3.541415 |
6000+: | ¥3.372804 |
9000+: | ¥3.217107 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00