商品描述
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
600mOhm @ 2.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
440pF @ 100V
封装/外壳
TO-251-3 Stub Leads, IPak