
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥1.260239 | ¥3150.60 |
| 5000 | ¥1.196177 | ¥5980.89 |
| 12500 | ¥1.110718 | ¥13883.98 |
| 25000 | ¥1.089768 | ¥27244.20 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.8 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.33 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 12.49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.89 ns
典型接通延迟时间 11.67 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN2028USS-13
型号:DMN2028USS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥1.260239 |
| 5000+: | ¥1.196177 |
| 12500+: | ¥1.110718 |
| 25000+: | ¥1.089768 |
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