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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥1.664134 | ¥4160.34 |
5000 | ¥1.556805 | ¥7784.02 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.8 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.33 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 12.49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.89 ns
典型接通延迟时间 11.67 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN2028USS-13
型号:DMN2028USS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥1.664134 |
5000+: | ¥1.556805 |
货期:1-2天
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