货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.154974 | ¥8.15 |
10 | ¥6.95644 | ¥69.56 |
100 | ¥5.194471 | ¥519.45 |
500 | ¥4.08144 | ¥2040.72 |
1000 | ¥3.153998 | ¥3154.00 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.8 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 11.6 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.33 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 12.49 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.89 ns
典型接通延迟时间 11.67 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN2028USS-13
型号:DMN2028USS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.154974 |
10+: | ¥6.95644 |
100+: | ¥5.194471 |
500+: | ¥4.08144 |
1000+: | ¥3.153998 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.15