货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.952863 | ¥14.95 |
10 | ¥12.236426 | ¥122.36 |
100 | ¥9.515005 | ¥951.50 |
500 | ¥8.064578 | ¥4032.29 |
1000 | ¥6.56954 | ¥6569.54 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 44 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 38 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SI7101DN-T1-GE3
型号:SI7101DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.952863 |
10+: | ¥12.236426 |
100+: | ¥9.515005 |
500+: | ¥8.064578 |
1000+: | ¥6.56954 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.95