DMT67M8LCGQ-13
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- 制造商编号：
- DMT67M8LCGQ-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET 61V~100V V-DFN3333-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥5.578621 | ￥16735.86 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 5.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.5 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.8 ns
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.1 ns
典型接通延迟时间 5.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 10 mg
DMT67M8LCGQ-13 同类别型号
注
DMT67M8LCGQ-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT67M8LCGQ-13
数据手册PDF。
DMT67M8LCGQ-13
型号：DMT67M8LCGQ-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥5.578621 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00