
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥28.760562 | ¥28.76 |
| 10 | ¥18.31191 | ¥183.12 |
| 100 | ¥12.350215 | ¥1235.02 |
| 500 | ¥9.79389 | ¥4896.94 |
| 1000 | ¥8.971766 | ¥8971.77 |
| 2000 | ¥8.280442 | ¥16560.88 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 74 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7 nC
耗散功率 38 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ900N15NS3 G SP000677866
单位重量 38.760 mg
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0BSZ900N15NS3GATMA1
型号:BSZ900N15NS3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥28.760562 |
| 10+: | ¥18.31191 |
| 100+: | ¥12.350215 |
| 500+: | ¥9.79389 |
| 1000+: | ¥8.971766 |
| 2000+: | ¥8.280442 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥28.76