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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥4.576313 | ¥11440.78 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 18 mOhms, 5.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2.1 V, 1.2 V
栅极电荷 2.7 nC, 6.4 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 1.3 ns, 2.4 ns
正向跨导(Min) 48 S / 26 S
上升时间 4.5 ns, 4.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.4 ns, 11.2 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns, 3.8 ns
高度 1.5 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 41 mg
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0CSD87331Q3D
型号:CSD87331Q3D
品牌:TI
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥4.576313 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00