DMT67M8LCGQ-7
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- 制造商编号：
- DMT67M8LCGQ-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET 61V~100V V-DFN3333-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：4000
货期：（7~10天）
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥5.578745 | ￥11157.49 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMT67M8LCGQ-7
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET 61V~100V V-DFN3333-8
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16A (Ta), 64.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.7mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
37.5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2130pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
900mW (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
V-DFN3333-8 (Type B)
封装/外壳
8-PowerVDFN
DMT67M8LCGQ-7 同类别型号
注
DMT67M8LCGQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT67M8LCGQ-7
数据手册PDF。
DMT67M8LCGQ-7
型号：DMT67M8LCGQ-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：4000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥5.578745 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00