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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.7 A
漏源电阻 25 mOhms, 25 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 21.4 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 396 ns, 396 ns
上升时间 144 ns, 144 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 626 ns, 626 ns
典型接通延迟时间 70 ns, 70 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMP2100UFU-7
型号:DMP2100UFU-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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