CSD87331Q3D

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 15 A

漏源电阻 18 mOhms, 5.5 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 10 V

栅源极阈值电压 2.1 V, 1.2 V

栅极电荷 2.7 nC, 6.4 nC

耗散功率 6 W

通道模式 Enhancement

配置 Dual

下降时间 1.3 ns, 2.4 ns

正向跨导（Min） 48 S / 26 S

上升时间 4.5 ns, 4.7 ns

晶体管类型 2 N-Channel

典型关闭延迟时间 7.4 ns, 11.2 ns

典型接通延迟时间 3.4 ns, 3.8 ns

高度 1.5 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 41 mg