货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥2.536297 | ¥2.54 |
10 | ¥1.864781 | ¥18.65 |
30 | ¥1.741508 | ¥52.25 |
100 | ¥1.618092 | ¥161.81 |
500 | ¥1.563224 | ¥781.61 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN66D0LT-7
型号:DMN66D0LT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.536297 |
10+: | ¥1.864781 |
30+: | ¥1.741508 |
100+: | ¥1.618092 |
500+: | ¥1.563224 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.54