
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.908057 | ¥2.91 |
| 10 | ¥2.138112 | ¥21.38 |
| 30 | ¥1.99677 | ¥59.90 |
| 100 | ¥1.855265 | ¥185.53 |
| 500 | ¥1.792354 | ¥896.18 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 115 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN66D0LT-7
型号:DMN66D0LT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥2.908057 |
| 10+: | ¥2.138112 |
| 30+: | ¥1.99677 |
| 100+: | ¥1.855265 |
| 500+: | ¥1.792354 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.91