
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.296203 | ¥15.30 |
| 10 | ¥12.4919 | ¥124.92 |
| 100 | ¥9.714505 | ¥971.45 |
| 500 | ¥8.234456 | ¥4117.23 |
| 1000 | ¥6.707952 | ¥6707.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 8.3 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.1 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19.7 ns
典型接通延迟时间 6.5 ns
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMT10H015LSS-13
型号:DMT10H015LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.296203 |
| 10+: | ¥12.4919 |
| 100+: | ¥9.714505 |
| 500+: | ¥8.234456 |
| 1000+: | ¥6.707952 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.30