货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.700506 | ¥15.70 |
10 | ¥12.80962 | ¥128.10 |
100 | ¥9.961099 | ¥996.11 |
500 | ¥8.443384 | ¥4221.69 |
1000 | ¥6.878069 | ¥6878.07 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 15 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.6 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 19 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 74 mg
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0CSD88537ND
型号:CSD88537ND
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.700506 |
10+: | ¥12.80962 |
100+: | ¥9.961099 |
500+: | ¥8.443384 |
1000+: | ¥6.878069 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.70