NVJD4401NT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.475699 | ￥4427.10 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 630 mA
漏源电阻 375 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 3 nC
耗散功率 550 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 7.500 mg
NVJD4401NT1G 同类别型号
注
NVJD4401NT1G
型号：NVJD4401NT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.475699 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00