NVD5863NLT4G
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- 制造商编号：
- NVD5863NLT4G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥19.335302 | ￥19.34 |
| 10 | ￥14.200137 | ￥142.00 |
| 30 | ￥13.258965 | ￥397.77 |
| 100 | ￥12.317793 | ￥1231.78 |
| 500 | ￥11.904998 | ￥5952.50 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NVD5863NLT4G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
包装
Digi-Reel®
系列
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零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14.9A (Ta), 82A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
7.1mOhm @ 41A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
70nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3850pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W (Ta), 96W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NVD5863NLT4G 同类别型号
注
NVD5863NLT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVD5863NLT4G
数据手册PDF。
NVD5863NLT4G
型号：NVD5863NLT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥19.335302 |
| 10+： | ￥14.200137 |
| 30+： | ￥13.258965 |
| 100+： | ￥12.317793 |
| 500+： | ￥11.904998 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥19.34