货期:(7~10天)
起订量:50
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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50 | ¥14.501029 | ¥725.05 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 56.4 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29.5 ns
上升时间 22.5 ns
典型关闭延迟时间 44.8 ns
典型接通延迟时间 18.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0DMTH10H010SCT
型号:DMTH10H010SCT
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
50+: | ¥14.501029 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00