
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥27.963114 | ¥27963.11 |
| 2000 | ¥26.20251 | ¥52405.02 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 107 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 18.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R040CFD7 SP002621056
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R040CFD7ATMA1
型号:IPB60R040CFD7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥27.963114 |
| 2000+: | ¥26.20251 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00