CSD87588N
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货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.638008 | ￥17.64 |
| 10 | ￥15.803182 | ￥158.03 |
| 25 | ￥15.000593 | ￥375.01 |
| 100 | ￥12.322931 | ￥1232.29 |
| 250 | ￥11.519395 | ￥2879.85 |
| 500 | ￥10.180091 | ￥5090.05 |
| 1000 | ￥8.036894 | ￥8036.89 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 10.4 mOhms, 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.9 V
栅极电荷 2.8 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 6.3 ns
正向跨导（Min） 93 S
上升时间 36.7 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 12.1 ns
外形参数
高度 0.48 mm
长度 5 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 54.600 mg
CSD87588N 同类别型号
注
CSD87588N品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD87588N
型号：CSD87588N
品牌：TI
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.638008 |
| 10+： | ￥15.803182 |
| 25+： | ￥15.000593 |
| 100+： | ￥12.322931 |
| 250+： | ￥11.519395 |
| 500+： | ￥10.180091 |
| 1000+： | ￥8.036894 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.64