
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.23353 | ¥6.23 |
| 10 | ¥5.369337 | ¥53.69 |
| 25 | ¥5.009492 | ¥125.24 |
| 100 | ¥3.720284 | ¥372.03 |
| 250 | ¥3.53441 | ¥883.60 |
| 500 | ¥2.904825 | ¥1452.41 |
| 1000 | ¥2.36095 | ¥2360.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMN2011UFDF-7
型号:DMN2011UFDF-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.23353 |
| 10+: | ¥5.369337 |
| 25+: | ¥5.009492 |
| 100+: | ¥3.720284 |
| 250+: | ¥3.53441 |
| 500+: | ¥2.904825 |
| 1000+: | ¥2.36095 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.23