DMN2011UFDF-7
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- 制造商编号：
- DMN2011UFDF-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
- 渠道：
- digikey
库存 ：530
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 11.7 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
DMN2011UFDF-7 同类别型号
注
DMN2011UFDF-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN2011UFDF-7
数据手册PDF
。
DMN2011UFDF-7
型号：DMN2011UFDF-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：530 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00