
货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥9.094631 | ¥2273.66 |
| 500 | ¥7.782785 | ¥3891.39 |
| 1250 | ¥6.339784 | ¥7924.73 |
| 2500 | ¥5.968174 | ¥14920.44 |
| 6250 | ¥5.684003 | ¥35525.02 |
| 12500 | ¥5.42169 | ¥67771.13 |
| 25000 | ¥5.411261 | ¥135281.52 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 11.8 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 38.700 mg
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0CSD17308Q3T
型号:CSD17308Q3T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥9.094631 |
| 500+: | ¥7.782785 |
| 1250+: | ¥6.339784 |
| 2500+: | ¥5.968174 |
| 6250+: | ¥5.684003 |
| 12500+: | ¥5.42169 |
| 25000+: | ¥5.411261 |
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