货期:(7~10天)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥7.994965 | ¥1998.74 |
500 | ¥6.841739 | ¥3420.87 |
1250 | ¥5.573216 | ¥6966.52 |
2500 | ¥5.246539 | ¥13116.35 |
6250 | ¥4.996728 | ¥31229.55 |
12500 | ¥4.766134 | ¥59576.68 |
25000 | ¥4.612403 | ¥115310.07 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 11.8 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 3.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.3 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 5.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 38.700 mg
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0CSD17308Q3T
型号:CSD17308Q3T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥7.994965 |
500+: | ¥6.841739 |
1250+: | ¥5.573216 |
2500+: | ¥5.246539 |
6250+: | ¥4.996728 |
12500+: | ¥4.766134 |
25000+: | ¥4.612403 |
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