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CSD17308Q3T

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD17308Q3T
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 50A
渠道:
digikey

库存 :4500

货期:(7~10天)

起订量:250

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
250 7.994965 1998.74
500 6.841739 3420.87
1250 5.573216 6966.52
2500 5.246539 13116.35
6250 4.996728 31229.55
12500 4.766134 59576.68
25000 4.612403 115310.07

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 60 A

漏源电阻 11.8 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 1.3 V

栅极电荷 3.9 nC

耗散功率 28 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 2.3 ns

正向跨导(Min) 37 S

上升时间 5.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 9.9 ns

典型接通延迟时间 4.5 ns

外形参数

高度 1 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 38.700 mg

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CSD17308Q3T

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型号:CSD17308Q3T

品牌:TI

供货:锐单

库存:4500 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

250+: ¥7.994965
500+: ¥6.841739
1250+: ¥5.573216
2500+: ¥5.246539
6250+: ¥4.996728
12500+: ¥4.766134
25000+: ¥4.612403

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