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制造商 Central Semiconductor
商标 Central Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA, 430 mA
漏源电阻 550 mOhms, 900 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 -
栅极电荷 1.58 nC, 1.2 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
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0CMLDM3757 TR PBFREE
型号:CMLDM3757 TR PBFREE
品牌:CENTRAL
供货:锐单
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