NP100P06PDG-E1-AY
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- 制造商编号：
- NP100P06PDG-E1-AY
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 60V 100A TO-263
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 300 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
外形参数
高度 4.9 mm
长度 10 mm
宽度 9.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
NP100P06PDG-E1-AY 同类别型号
注
NP100P06PDG-E1-AY品牌厂家：INTERSIL/RECTIFIER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购NP100P06PDG-E1-AY、查询NP100P06PDG-E1-AY代理商；
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替代型号
、NP100P06PDG-E1-AY
数据手册PDF。
NP100P06PDG-E1-AY
型号：NP100P06PDG-E1-AY
品牌：INTERSIL/RECTIFIER
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00