SUD50N02-06P-E3
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- 制造商编号：
- SUD50N02-06P-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 50A TO252
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：47
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 47 | ￥1.70125 | ￥79.96 |
| 50 | ￥1.633244 | ￥81.66 |
| 100 | ￥1.565169 | ￥156.52 |
| 300 | ￥1.497163 | ￥449.15 |
| 500 | ￥1.429157 | ￥714.58 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SUD50N02-06P-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2550pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.8W (Ta), 65W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50N02-06P-E3 同类别型号
注
SUD50N02-06P-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SUD50N02-06P-E3
数据手册PDF。
SUD50N02-06P-E3
型号：SUD50N02-06P-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 47+： | ￥1.70125 |
| 50+： | ￥1.633244 |
| 100+： | ￥1.565169 |
| 300+： | ￥1.497163 |
| 500+： | ￥1.429157 |
货期：1-2天
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