货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.527449 | ¥4582.35 |
6000 | ¥1.428871 | ¥8573.23 |
15000 | ¥1.330361 | ¥19955.41 |
30000 | ¥1.261377 | ¥37841.31 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 680 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 99 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 173 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 0.22 mm
长度 1.35 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.200 mg
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0CSD85302L
型号:CSD85302L
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.527449 |
6000+: | ¥1.428871 |
15000+: | ¥1.330361 |
30000+: | ¥1.261377 |
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