SUD50N02-06P-E3
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- 制造商编号：
- SUD50N02-06P-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 50A TO252
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：47
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 47 | ￥4.122333 | ￥193.75 |
| 50 | ￥3.957546 | ￥197.88 |
| 100 | ￥3.792593 | ￥379.26 |
| 300 | ￥3.627804 | ￥1088.34 |
| 500 | ￥3.463017 | ￥1731.51 |
| 1000 | ￥3.2979 | ￥3297.90 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SUD50N02-06P-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6mOhm @ 20A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
30nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2550pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
6.8W (Ta), 65W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
SUD50N02-06P-E3 同类别型号
注
SUD50N02-06P-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SUD50N02-06P-E3
数据手册PDF。
SUD50N02-06P-E3
型号：SUD50N02-06P-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 47+： | ￥4.122333 |
| 50+： | ￥3.957546 |
| 100+： | ￥3.792593 |
| 300+： | ￥3.627804 |
| 500+： | ￥3.463017 |
| 1000+： | ￥3.2979 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00