货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.457681 | ¥7.46 |
10 | ¥6.38046 | ¥63.80 |
100 | ¥4.768181 | ¥476.82 |
500 | ¥3.74636 | ¥1873.18 |
1000 | ¥2.894765 | ¥2894.76 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 680 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 99 ns
上升时间 54 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 173 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 0.22 mm
长度 1.35 mm
宽度 1.35 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.200 mg
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0CSD85302L
型号:CSD85302L
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.457681 |
10+: | ¥6.38046 |
100+: | ¥4.768181 |
500+: | ¥3.74636 |
1000+: | ¥2.894765 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.46