
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥4.365795 | ¥10914.49 |
| 5000 | ¥4.204097 | ¥21020.49 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 101 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 93.75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导(Min) 16.8 S
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 14 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 330 mg
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0NTD5802NT4G
型号:NTD5802NT4G
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥4.365795 |
| 5000+: | ¥4.204097 |
货期:1-2天
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