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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 51 A
漏源电阻 8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 49 ns
正向跨导(Min) 110 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRL7766M2TR SP001516036
单位重量 500 mg
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0AUIRL7766M2TR
型号:AUIRL7766M2TR
品牌:INFINEON
供货:锐单
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