
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥3.246615 | ¥8116.54 |
| 5000 | ¥3.092017 | ¥15460.08 |
| 12500 | ¥2.949329 | ¥36866.61 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 770 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R900P7 SP001633484
单位重量 360 mg
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0IPD80R900P7ATMA1
型号:IPD80R900P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥3.246615 |
| 5000+: | ¥3.092017 |
| 12500+: | ¥2.949329 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00