货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.784293 | ¥7.78 |
10 | ¥6.622828 | ¥66.23 |
100 | ¥4.94735 | ¥494.74 |
500 | ¥3.887203 | ¥1943.60 |
1000 | ¥3.003749 | ¥3003.75 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.5 A, 3 A
漏源电阻 25 mOhms, 55 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.4 nC, 7.8 nC
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 5.7 ns, 8.5 ns
正向跨导(Min) 1.4 S, 1.9 S
上升时间 8 ns, 16.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 27.6 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns, 7.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 QH8MA2
单位重量 10 mg
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0QH8MA2TCR
型号:QH8MA2TCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.784293 |
10+: | ¥6.622828 |
100+: | ¥4.94735 |
500+: | ¥3.887203 |
1000+: | ¥3.003749 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.78