
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.251746 | ¥12.25 |
| 10 | ¥9.114506 | ¥91.15 |
| 30 | ¥8.536594 | ¥256.10 |
| 100 | ¥7.958681 | ¥795.87 |
| 500 | ¥7.694493 | ¥3847.25 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 12.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 19 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.9 ns
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
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0TPN11003NL,LQ
型号:TPN11003NL,LQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.251746 |
| 10+: | ¥9.114506 |
| 30+: | ¥8.536594 |
| 100+: | ¥7.958681 |
| 500+: | ¥7.694493 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.25