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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 5.9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 13.5 nC
耗散功率 2.16 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.2 ns
上升时间 39.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18.6 ns
典型接通延迟时间 14.4 ns
高度 1.05 mm
长度 4.9 mm
宽度 5.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
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0NTMFS4851NT1G
型号:NTMFS4851NT1G
品牌:ON
供货:锐单
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