
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.001916 | ¥19.00 |
| 10 | ¥15.558712 | ¥155.59 |
| 100 | ¥12.102649 | ¥1210.26 |
| 500 | ¥10.258749 | ¥5129.37 |
| 1000 | ¥8.356843 | ¥8356.84 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 770 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R900P7 SP001633484
单位重量 360 mg
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0IPD80R900P7ATMA1
型号:IPD80R900P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.001916 |
| 10+: | ¥15.558712 |
| 100+: | ¥12.102649 |
| 500+: | ¥10.258749 |
| 1000+: | ¥8.356843 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.00