
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥135.123211 | ¥135.12 |
| 10 | ¥115.880983 | ¥1158.81 |
| 100 | ¥96.561785 | ¥9656.18 |
| 500 | ¥85.201457 | ¥42600.73 |
| 1000 | ¥76.681425 | ¥76681.43 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 24 S, 14 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
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0IXFQ22N60P3
型号:IXFQ22N60P3
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥135.123211 |
| 10+: | ¥115.880983 |
| 100+: | ¥96.561785 |
| 500+: | ¥85.201457 |
| 1000+: | ¥76.681425 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥135.12