
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥4.640111 | ¥1160.03 |
| 500 | ¥4.267114 | ¥2133.56 |
| 750 | ¥4.075628 | ¥3056.72 |
| 1250 | ¥3.859394 | ¥4824.24 |
| 1750 | ¥3.730726 | ¥6528.77 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 59 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 84.200 mg
购物车
0CSD18514Q5AT
型号:CSD18514Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥4.640111 |
| 500+: | ¥4.267114 |
| 750+: | ¥4.075628 |
| 1250+: | ¥3.859394 |
| 1750+: | ¥3.730726 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00