货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥7.448256 | ¥7.45 |
10 | ¥6.391084 | ¥63.91 |
100 | ¥4.768086 | ¥476.81 |
500 | ¥3.746233 | ¥1873.12 |
1000 | ¥2.894969 | ¥2894.97 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 3.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 5 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3464DV-T1-BE3
单位重量 20 mg
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0SI3464DV-T1-GE3
型号:SI3464DV-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.448256 |
10+: | ¥6.391084 |
100+: | ¥4.768086 |
500+: | ¥3.746233 |
1000+: | ¥2.894969 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.45