货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥79.466079 | ¥79.47 |
30 | ¥63.457486 | ¥1903.72 |
120 | ¥56.778802 | ¥6813.46 |
510 | ¥50.098892 | ¥25550.43 |
1020 | ¥45.088996 | ¥45990.78 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 69 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 180 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 20.3 mm
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 g
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0IXTQ69N30P
型号:IXTQ69N30P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥79.466079 |
30+: | ¥63.457486 |
120+: | ¥56.778802 |
510+: | ¥50.098892 |
1020+: | ¥45.088996 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥79.47