SI5513CDC-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI5513CDC-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.323764 | ￥3971.29 |
| 6000 | ￥1.281089 | ￥7686.53 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A, 3.7 A
漏源电阻 55 mOhms, 150 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.5 V
栅极电荷 4.2 nC, 5.6 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI5509DC-T1-GE3
单位重量 85 mg
SI5513CDC-T1-GE3 同类别型号
注
SI5513CDC-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI5513CDC-T1-GE3
数据手册PDF。
SI5513CDC-T1-GE3
型号：SI5513CDC-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.323764 |
| 6000+： | ￥1.281089 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00