
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥26.465836 | ¥26.47 |
| 10 | ¥17.960053 | ¥179.60 |
| 100 | ¥12.686774 | ¥1268.68 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 74 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 59 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 84.200 mg
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0CSD18514Q5AT
型号:CSD18514Q5AT
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥26.465836 |
| 10+: | ¥17.960053 |
| 100+: | ¥12.686774 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥26.47