
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.221991 | ¥20.22 |
| 10 | ¥18.142828 | ¥181.43 |
| 100 | ¥14.864017 | ¥1486.40 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 131 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 129 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 38 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP86363_F085
单位重量 2 g
购物车
0FDP86363-F085
型号:FDP86363-F085
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.221991 |
| 10+: | ¥18.142828 |
| 100+: | ¥14.864017 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.22