RQ3E180GNTB
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RQ3E180GNTB
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
- 渠道：
- digikey
库存 ：2955
货期：（7~10天）
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥6.273058 | ￥62.73 |
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 4.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.2 ns
正向跨导（Min） 17 S
上升时间 6.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 56.8 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ3E180GN
RQ3E180GNTB 同类别型号
注
RQ3E180GNTB品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RQ3E180GNTB
数据手册PDF。
RQ3E180GNTB
型号：RQ3E180GNTB
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：2955 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥6.273058 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00